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    汽车电工教案 模拟电子技术基础

    第六章   模拟电子技术基础
    §6.1  半导体简介
    一、PN结
    单晶体半导体——硅、锗（四价元素）
    单晶体半导体中的载流子——自由电子（－）、空穴（＋）
    本征半导体转换为杂质半导体（掺杂）
    本征半导体：完全纯净具有晶体结构的半导体。(类似于碳元素的排列规律)
    杂质半导体
        ①电子型(N型)半导体 — 掺入五价元素(磷)
        多数载流子(多子)——自由电子；少数载流子(少子)——空穴
    ②空穴型(P型)半导体 — 掺入三价元素(硼)
    多子——空穴；少子——自由电子
    1.PN结的形成
      多子由高浓度区域向低浓度区域运动——扩散；
      少子由低浓度区域向高浓度区域运动——漂移；
    P区与N区的扩散与漂移运动达到动态平衡，形成稳定的空间电荷区(势垒区) ——PN结
     汽车电工教案 模拟电子技术基础下载

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